碳化硅抛光液

碳化硅(SiC)单晶材料作为第三代宽带隙半导体材料的代表，由于其具有禁带宽度大(~Si的3倍)、高热导率(~Si的3.3倍或GaAs的10倍)、高电子饱和迁移速率(~Si的2.5倍)、高击穿电场(~Si的10倍或GaAs的5倍)等突出特性，在高温、高压、高频、大功率电子器件领域和航天、军工、核能等极端环境应用领域有着不可替代的优势，弥补了传统半导体材料器件在实际应用中的缺陷，正逐渐成为功率半导

蚀刻后清洗液

半导体芯片在经过蚀刻工艺后会产生残留物，以及需要对TiN腐蚀进行清洗，以保证晶圆表面光洁度，同样是保证良率的关键步骤。公司正在开发适用于不同节点的蚀刻后清洗液产品。产品包括酸性或碱性蚀刻后清洗液系列产品， 可适用于铝制程和铜制程以及光阻剂和氮化钛硬掩膜蚀刻后清洗。

POST CMP 清洗液

半导体芯片在经过化学机械研磨后晶圆表面易产生缺陷， 缺陷的存在会降低芯片的可靠性及芯片产出的良率，而普通清洗化学品不能有效解决此缺陷问题。公司现已经开发出适用于28纳米-130纳米的含TMAH经济型和不含TMAH环保型的研磨后清洗液。7纳米-14纳米先进节点的研磨后清洗液正在研发中。另外根据材料的不同，公司研磨后清洗液包括铜、钴，钨等清洗液产品。

碳吸附材料

安储科技集中研发和生产其中的核心材料—先进的碳吸附材料，安储科技的先进碳吸附材料和成型技术在气体存储量和气体输出控制方面比肩目前美国ENTEGRIS公司SDS3系列碳材料的水平，从而打破该材料的国外垄断，为国内集成电路行业的安全生产提供了保障。